基于水热合成的高性能光电探测器SnO2纳米线/还原氧化石墨烯（rGO）复合材料

基于水热合成的高性能光电探测器SnO2纳米线/还原氧化石墨烯（rGO）复合材料(中文8500字,英文PDF)
Manish Kumar Singh, Rajiv K. Pandey*, Rajiv Prakash*
印度理工学院（BHU）材料科学与技术学院，印度瓦拉纳西，221005
摘要
单独的无机半导体或其基于纳米结构的紫外光电探测器仍然没有达到标准并且由于其较差的电气性能从而不能令人满意。因此，无机半导体材料与有机半导体材料的杂化正在成为最近实施的战略方法之一，以此加强该方法电气性能如光电流，电导率等。在本篇文中，我们提出了一个简单而高效的SnO2纳米线与还原石墨烯氧化物（rGO）纳米片和碳纳米管杂化的方法，随之调查混合材料光电流的增强。在利用rGO将SnO2纳米线水合之前，通过水热法合成SnO2纳米线，与此同时，rGO通过改进的Hummers方法合成，然后用微波还原。此外，通过将SnO2/rGO混合物的混合溶液放置在Si/SiO2、玻璃和掺磷的Si衬底上，通过喷射方法将得到的SnO2/rGO混合材料沉积在婴儿喷雾雾化器的药室。考虑到原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）的结果讨论了其形态特征。基于X射线衍射（XRD），FTIR和UV-Vis光谱，纳米杂化材料的形成以及SnO2，rGO和SnO2/rGO复合材料的结构性能进行了讨论。此外，使用循环伏安法（CV）进行合成的混合物薄膜的电流-电压（I-V）特性，和AFM导电尖端的探究。金属-半导体-金属（MSM）结构被表征在黑暗条件和在光线条件存在下发现波长相关的光电探测器属性光电流增强（102），在±3 V电压下与较长波长比较短的波长。
关键词：SnO2纳米线、rGO、复合材料、纳米结构、光电流