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在380°C低温的非晶硅薄膜的固相晶化

来源:56doc.com  资料编号:5D94630827  文件类型:  资料等级: %D7%CA%C1%CF%B1%E0%BA%C5%A3%BA5D94630827
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资料介绍

在380°C低温的非晶硅薄膜的固相晶化(中文2500字,英文pdf)
最近,多晶硅已受到越来越多的关注,由于其广泛适用性与可以大面积生产,包括薄膜晶体管(薄膜二极管)、太阳能电池和图像传感器。固相结晶是用于a-Si薄膜的结晶最常见的方法,但是其结晶温度太高,很难找到能够承受其温度的玻璃衬底。众所周知,通过加入某些金属可以降低a-Si薄膜(固相晶化)材料的晶化温度。
   当加入某些金属层时,如铝、铜、金、银、镍,可以在比固相晶化温度更低的温度,a-Si薄膜再进行结晶得到多晶硅硅。在少量的金属存在的条件下,可以增强a-Si固相结晶。根据以往的报道,在扩散层间中发生金属和a-Si薄膜之间的反应可以降低晶化温度。
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在380°C低温的非晶硅薄膜的固相晶化

 

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