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退火处理对Al掺杂ZnO薄膜的结构,光学和电学性质的影响

来源:56doc.com  资料编号:5D9342 资料等级:★★★★★ %E8%B5%84%E6%96%99%E7%BC%96%E5%8F%B7%EF%BC%9A5D9342
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资料介绍

退火处理对Al掺杂ZnO薄膜的结构,光学和电学性质的影响(中文3000字,英文pdf)

摘要:由直流(dc)和射频(rf)磁控溅射方式制作的含有锌目标al(1.5%含量)的高导电性和透明的掺杂zno(azo)薄膜。使用不同的技术,azo薄膜的结构,光学和电学性能在不同温度的退火处理(300和400℃下)显示不同的特征。实验  结果表明,AZO薄膜的性能可以通过退火处理进一步提高。经退火处理后ZnO薄膜的结晶性提高。直流与射频(RF)磁控溅射制备的AZO薄膜在可见光区域的透射率分别是80%和85%。直流磁控溅射制备AZO薄膜的电阻率在经过退火处理火可低至8.06×10-4Ω⋅cm。有人还发现,射频反应磁控溅射制备的AZO薄膜比直流磁控溅射的有更好的结构性和光学性

关键词:AZO薄膜的结构,光学和电学性能;退火;透射光谱;电阻

退火处理对Al掺杂ZnO薄膜的结构,光学和电学性质的影响
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